上海华虹宏力半导体制造有限公司张顾斌获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种提高光刻套准精度的标记及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115729060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211557607.0,技术领域涉及:G03F9/00;该发明授权一种提高光刻套准精度的标记及方法是由张顾斌设计研发完成,并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高光刻套准精度的标记及方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种提高光刻套准精度的标记及方法,套刻标记;套刻标记外围设有禁止域;禁止域环绕所述套刻标记;划片槽;套刻标记及禁止域位于划片槽内;禁止域的宽度大于40μm且小于划片槽的宽度。本发明通过增加套刻标记的禁止域宽度来提高外延后光刻套准精度,外延后套刻标记变形稳定可控,多次量测套刻数据稳定。
本发明授权一种提高光刻套准精度的标记及方法在权利要求书中公布了:1.一种提高光刻套准精度的标记,其特征在于,至少包括: 套刻标记;所述套刻标记外围设有禁止域;所述禁止域环绕所述套刻标记; 划片槽;所述套刻标记及禁止域位于所述划片槽内; 所述禁止域的宽度大于40μm且小于所述划片槽的宽度。
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