中国科学院微电子研究所窦春萌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种存内计算电路及方法和阻变型存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115701637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110881866.8,技术领域涉及:G11C13/00;该发明授权一种存内计算电路及方法和阻变型存储器是由窦春萌;王琳方;叶望;王雪红;刘璟;刘琦;吕杭炳;李泠;刘明设计研发完成,并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存内计算电路及方法和阻变型存储器在说明书摘要公布了:本发明提供了一种存内计算电路及方法和阻变型存储器,第j存储单元中第一晶体管和第二晶体管采用共栅共源的连接方式,使得第i位线、第i互补位线和第i源线进行电荷共享,相较于现有基于电流汇聚的计算方式,本发明提供计算过程中没有直流电流,解决了现有技术电流汇聚过大的问题,降低了存内计算电路的功耗。与第i电压读取电路相连的第i源线上电压即为字线的输入值和存储单元的存储正负乘积相减后的结果,无需设置更多的读取结构,节约了存内计算电路的占用面积和延时开销。由于存储单元与位线、源线和互补位线的连接方式,使得存内计算过程本质上相当于差分信号的计算,进而能够抑制工艺波动等非理想因素对计算正确率的影响。
本发明授权一种存内计算电路及方法和阻变型存储器在权利要求书中公布了:1.一种存内计算电路,其特征在于,包括:第一位线至第M位线、第一互补位线至第M互补位线、第一源线至第M源线、第一电压读取电路至第M电压读取电路和第一字线至第N字线,M和N均为大于0的整数; 位于第i位线和第i互补位线之间连接有第一存储单元至第N存储单元,第j存储单元包括第一阻变器、第二阻变器、第一晶体管和第二晶体管,所述第一阻变器的第一端与第i位线相连,所述第一阻变器的第二端与第一晶体管的第一端相连,所述第一晶体管的第二端与第i源线相连,所述第一晶体管的栅极与第j字线相连;所述第二阻变器的第一端与第i互补位线相连,所述第二阻变器的第二端与第二晶体管的第一端相连,所述第二晶体管的第二端与所述第i源线相连,所述第二晶体管的栅极与所述第j字线相连,i为小于或等于M的正整数,j为小于或等于N的正整数; 以及,第i源线与第i电压读取电路相连;其中,在预充电阶段,所述第i位线接入第一电压信号,所述第i互补位线接入第二电压信号,且所述第i源线接入第三电压信号;在求值阶段,根据选择所述第一字线至第N字线中预设的多个字线开启,所述第i电压读取电路读取所述第i源线的瞬态电压变化量。
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