北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司卢志高获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利量子点发光器件及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110846230.X，技术领域涉及：H10K50/10；该发明授权量子点发光器件及其制备方法、显示装置是由卢志高设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点发光器件及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置，量子点发光器件包括：量子点发光层以及设置于所述量子点发光层一侧的空穴注入层，所述量子点发光层包括靠近所述空穴注入层一侧的第一表面，所述第一表面上设置有钝化功能层，所述钝化功能层被配置为修饰所述第一表面。
本发明授权量子点发光器件及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：量子点发光层以及设置于所述量子点发光层一侧的空穴注入层，所述量子点发光层包括靠近所述空穴注入层一侧的第一表面，所述量子点发光层与所述空穴注入层之间设置有钝化功能层，所述钝化功能层的材料采用金属卤化物，所述钝化功能层被配置为修饰所述第一表面；所述钝化功能层至少包括钝化离子，所述钝化离子被配置为与所述第一表面结合，钝化所述第一表面，所述钝化离子为卤元素离子；所述钝化功能层还包括金属离子，所述空穴注入层包括靠近所述量子点发光层一侧的第二表面，所述金属离子设置于所述第二表面一侧，所述金属离子配置为改善量子点发光层与空穴注入层的界面性能；所述金属离子相较于所述钝化离子更靠近所述空穴注入层；和或，所述钝化离子相较于所述金属离子更靠近所述量子点发光层。
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