上海新微技术研发中心有限公司李欣雨获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利光电探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115700928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110800726.3，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权光电探测器及其制造方法是由李欣雨;汪巍;蔡艳;余明斌设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光电探测器及其制造方法，所述光电探测器包括：波导，其设置于基板，由第一材料构成；以及光吸收层，其设置于所述波导的表面；所述光吸收层包括第一材料部和第二材料部，所述第一材料部中形成有凹陷部，所述第二材料部设置于所述凹陷部中，所述第一材料部由所述第一材料构成，所述第二材料部由第二材料构成，针对所述预定波长的光，所述第一材料的折射率小于所述第二材料的折射率。根据本申请，将光电探测器的光吸收层设置为由折射率不同的两种材料交替布置而形成的结构，由此，能够增大倏逝波在吸收层中的吸收率，从而兼顾高响应度和高带宽。
本发明授权光电探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器，用于探测预定波长的光，其特征在于，所述光电探测器包括： 波导，其设置于基板，由第一材料构成；以及 光吸收层，其设置于所述波导的表面； 所述光吸收层包括第一材料部和第二材料部， 所述第一材料部中形成有凹陷部， 所述第二材料部设置于所述凹陷部中， 所述第一材料部由所述第一材料构成， 所述第二材料部由第二材料构成， 针对所述预定波长的光，所述第一材料的折射率小于所述第二材料的折射率， 所述第一材料是硅， 所述第二材料是锗锡。
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