买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211347515.X，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构及其使用方法是由刘沛设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，包括芯轴图形，芯轴图形用于定义出半导体衬底上芯轴结构形成的位置，芯轴结构用于定义出侧墙形成的位置，侧墙用于作为刻蚀时的掩膜在半导体衬底上形成半导体结构；切割图形，切割图形用于对半导体衬底上的半导体结构部分截断；第一光罩图形，第一光罩图形用于定义出半导体衬底上第一、二测量区域，第一测量区域上形成芯轴结构，第二测量区域上不形成芯轴结构，身上所芯轴结构形成于牺牲层上；第二光罩图形，第二光罩图形用于在牺牲层去除后，定义出第二测量区域上保护层形成的位置。本发明可监控刻蚀后关键尺寸和刻蚀粗糙度。

本发明授权同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构的使用方法，其特征在于，包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有叠层； 步骤二、在所述叠层上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成第一光刻胶层，之后利用第一光罩图形通过光刻工艺图形化所述第一光刻胶层以定义出所述牺牲层的刻蚀区域，使得第一测量区域的所述牺牲层上区域形成芯轴结构，第二测量区域上的所述牺牲层上不形成所述芯轴结构，之后去除剩余的所述第一光刻胶层，在每个所述芯轴结构的两侧形成侧墙，之后去除芯轴结构和所述牺牲层，所述侧墙用于作为掩膜刻蚀其下方的所述叠层以及所述衬底形成半导体结构； 步骤三、形成覆盖所述第一、二测量区域的第二光刻胶层，利用包括第二光罩图形的光罩图形化所述第二光刻胶层，使得所述第二测量区域上的所述第二光刻胶层保留，所述第一测量区域上所述第二光刻胶层去除，使得其下方的所述侧墙和所述叠层裸露； 步骤四、以所述侧墙为掩膜刻蚀裸露的所述叠层和所述衬底以形成所述半导体结构，所述第二测量区域的所述叠层和所述衬底上不形成所述半导体结构； 步骤五、去除剩余的所述第二光刻胶层和所述侧墙； 步骤六、形成覆盖剩余的所述叠层的第三光刻胶层，利用包含切割图形的光罩打开所述第三光刻胶层以定义出刻蚀区域，之后刻蚀所述半导体结构和所述叠层，用以截断部分所述半导体结构，在不形成所述半导体结构的所述叠层及其下方的所述衬底上以及所述半导体结构上均形成量测凹槽； 步骤七、利用所述量测凹槽得到刻蚀后关键尺寸和刻蚀粗糙度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。