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龙图腾网获悉天津大学申请的专利高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115688519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211335784.4，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法是由柯燎亮;崔新雨;沈飞;朱瑞昌;葛一铭设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法，包括：选择合适的电子封装器件，获取器件结构和材料参数；建立电子封装器件的预简化模型；计算模型简化部分等效参数；确定电子器件最终简化模型。本发明通过选取某一电子元器件建立相应有限元模型，对有限元建模中倒装焊及底填胶结构进行简化；建立预简化模型，将部分焊球层和底填胶简化为均匀层，保留外圈几层焊球细致结构；通过建立代表性体积单元，计算得到均匀化层的材料参数；通过仿真计算外层焊球圈数对焊球层危险点应力的影响，确定保留外圈二层焊球细致结构可以获得更加精确的结果，得到高密度封装中倒装焊及底填胶的最终简化模型。

本发明授权高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法在权利要求书中公布了：1.高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法，其特征在于，包括： 步骤S1，选取电子封装器件，获取器件结构参数和材料参数； 步骤S2，建立电子封装器件的预简化有限元模型； 步骤S3，获取模型简化部分等效参数； 步骤S4，确定电子器件最终有限元简化模型； 其中，所述步骤S1中，将电子封装器件内部倒装焊间距保持一致； 所述步骤S2中，采用solidworks模型对所述电子封装器件进行建模，模型选定参数为热沉、热界面材料、芯片、倒装焊、填充料和陶瓷基板； 使用Solidworks建立高密度封装的预简化模型，包括倒装焊及底填胶完全简化模型、保留外部一圈倒装焊简化模型和保留外部两圈倒装焊简化模型，其余部分不变； 所述步骤S3中，采用有限元Abaqus模拟拉伸、剪切实验的方式，获得高密度封装简化部分等效参数；分别在体积单元的X向、Y向施加拉伸载荷，在XY平面、XZ平面施加切向载荷，以获得焊球和底填胶体积单元的部分等效材料参数Ey，Ex，Ez，νxz，νyx，νyz，Gxz，Gxy，Gzy，其中Ex＝Ez，νyx＝νyz，Gxy＝Gzy； 对于焊球层的等效传热系数求解，分别在焊球层的A面和B面施加均匀的热流q，而A面和B面的对应底面保持恒定的温度20℃，其余边界均为绝热；通过模拟得到温差，其等效传热系数可以推导为式1； 对于比热容的等效参数，可以通过焊球和底填胶的体积平均来获得，如式2； 所述步骤S4中，采用AnsysWorkbench对建立的预简化模型施加同样的正弦冲击载荷及约束，提取倒装焊及填充料部分应力仿真结果，若其中一预简化模型应力值与前一模型差距不高于1％时，确定高密度封装最终简化模型； 还包括： 建立多个高密度封装模型，向逐渐保留外层倒装焊圈数逐步过渡。

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