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电子科技大学李柏霖获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于Si3N4薄膜机械振子的室温红外探测装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115683345B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211323718.5,技术领域涉及:G01J5/02;该发明授权基于Si3N4薄膜机械振子的室温红外探测装置及方法是由李柏霖;邓光伟;牛晓滨;陈俊帆;周强;王浟;宋海智设计研发完成,并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

基于Si3N4薄膜机械振子的室温红外探测装置及方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种基于氮化硅薄膜机械振子的室温红外探测装置及工作方法、制备方法;包括矩形衬底、蹦床结构;矩形衬底从上至下依次是Si33N44层、SiO22层、Si基底;矩形衬底中心通过刻蚀形成蹦床结构,蹦床结构包括中间的圆弧状四边形以及四角延伸出去的弧形条带,蹦床结构的上表面中心固定有PdSe22矩形薄膜;由于室温下PdSe22对红外光的强烈吸收特性和Si33N44机械振子能提供高品质因子的特点,本发明结合两者优势提出一种可用于探测室温下中红外波段的装置,能实现高响应度和高灵敏度,弥补非制冷红外探测器性能水平低和低温冷却红外探测器因便携性小导致应用场景受限之间的差距。

本发明授权基于Si3N4薄膜机械振子的室温红外探测装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种基于Si3N4薄膜机械振子的室温红外探测装置,其特征在于:包括矩形衬底6、矩形衬底6内部中心的蹦床结构1;矩形衬底6从上至下依次是Si3N4层3、SiO2层4、Si基底5;矩形衬底6中心通过刻蚀形成蹦床结构,蹦床结构包括中间的圆弧状四边形11以及四角延伸出去的弧形条带12,蹦床结构通过将中心正方形的四边依次向中心刻蚀掉4个相同的圆弧形得到,刻蚀的深度贯穿整个Si3N4层3、SiO2层4,蹦床结构1的上表面中心固定有PdSe2矩形薄膜2; 蹦床结构相当于悬浮于矩形衬底6上方的Si3N4机械振子,当Si3N4机械振子自身受到温度变化时会发生机械振动;其中PdSe2矩形薄膜2作为红外辐射吸收材料传导热量,用于驱动和调控Si3N4机械振子;红外探测装置在室温下通过调控光场来检测Si3N4机械振子的谐振频率和品质因子,利用测量红外辐射强度下Si3N4机械振子的频移响应来实现对相应红外波段的探测。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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