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龙图腾网获悉浙江大学嘉兴研究院;浙江大学申请的专利一种基于半导体纳米线介导的光纤-芯片耦合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115657223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211231989.8，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种基于半导体纳米线介导的光纤-芯片耦合结构是由郭欣;金莹莹;杨柳;黄奕舒;杨宇鑫;王攀;戴道锌;童利民设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于半导体纳米线介导的光纤-芯片耦合结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于半导体纳米线介导的光纤‑芯片耦合结构，基于绝热耦合方法，将由标准光纤一端拉成锥形微纳光纤和高折射率的直径渐变半导体纳米线较细端连接耦合形成复合结构，缝隙由少量聚合物填充，并用此复合结构中直径渐变半导体纳米线较粗端和芯片上的锥形硅波导贴合耦合，从而实现高耦合效率、宽带宽、偏振不敏感的标准光纤和片上集成光波导之间的双向耦合。利用该方法可以实现高耦合效率、宽带宽、偏振不敏感的标准光纤和片上集成光波导之间的双向耦合，整个耦合结构稳定，该耦合结构适用于光纤和各种片上器件的耦合，利于实现传统光学器件和片上光学器件的集成。

本发明授权一种基于半导体纳米线介导的光纤-芯片耦合结构在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体纳米线介导的光纤-芯片耦合结构，其特征在于，包括由标准光纤一端拉成的锥形微纳光纤、中间介导的直径渐变的半导体纳米线、粘合锥形微纳光纤和半导体纳米线的聚合物和芯片上的锥形硅波导；所述的直径渐变半导体纳米线的较细端与由标准光纤一端拉成的锥形微纳光纤的较细端贴合耦合，连接处缝隙填充少量聚合物，所述的直径渐变半导体纳米线较粗端与芯片上的锥形硅波导的较细端贴合耦合；所述的由标准光纤一端拉成锥形微纳光纤的锥度变化缓慢，满足绝热条件，其端头处的锥角在10度以内，采用热拉制方法制备；所述的直径渐变的半导体纳米线的材料为硫化镉或氧化锌，其在通讯波段材料折射率大于2，采用化学气相沉积法制备；所述的直径渐变的半导体纳米线的长度为50μm至200μm范围内，直径渐变，细端直径在350nm至550nm之间，粗端直径在600nm至1μm之间；所述的聚合物为聚苯乙烯PS或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；所述的芯片上的锥形硅波导的长度为10-20μm，宽度由100nm变化到400nm，锥度变化缓慢，满足绝热条件，采用电子束曝光和电感耦合等离子体干法蚀刻工艺制造。

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