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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632083B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211219993.2，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法是由秦华;屠睿;周奇;靳琳设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法。所述太赫兹波探测器包括半导体结构、第一电极、第二电极、第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构、第一天线和第二天线：所述第一天线和第二天线间隔设置在所述半导体结构上，并均与所述半导体结构形成肖特基接触；所述第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构分别对应设置在所述第一天线、第二天线与半导体结构之间，所述第一欧姆接触结构及第二欧姆接触结构均与半导体结构形成欧姆接触且分别与第一天线、第二天线电连接，所述第一电极、第二电极分别与第一天线、第二天线配合。本发明提供的太赫兹波的探测方法，采用偏压工作模式进行太赫兹波的探测，偏压工作模式增加了器件的稳定性。

本发明授权太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法在权利要求书中公布了：1.一种两端太赫兹波探测器，其特征在于包括半导体结构、第一电极、第二电极、第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构、第一天线和第二天线： 所述半导体结构包括层叠设置的沟道层和势垒层，所述半导体结构中形成有载流子沟道； 所述第一天线和第二天线间隔设置在所述半导体结构上，并均与所述半导体结构形成肖特基接触； 所述第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构分别对应设置在所述第一天线、第二天线与半导体结构之间，所述第一欧姆接触结构及第二欧姆接触结构均与半导体结构形成欧姆接触且分别与第一天线、第二天线电连接，其中，所述第一天线、第二天线分别对应将所述第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构完全掩盖，所述第一天线、第二天线分别与所述半导体结构对应形成“场板”结构，所述第一欧姆接触结构的第一端与第一天线的二端之间具有第一距离，所述第二欧姆接触结构的第三端与第二天线的第四端之间的第二距离，所述第一天线的第二端与第二天线的第四端之间的第三距离，所述第一端和第二端为指向第二天线的一端，所述第三端和第四端为指向第一天线的一端； 所述第一电极、第二电极分别与第一天线、第二天线配合，并且所述第一电极及第二电极与半导体结构配合形成高迁移率场效应晶体管，所述第一电极及第二电极与载流子沟道形成电气连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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