扬州杰利半导体有限公司游佩武获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州杰利半导体有限公司申请的专利一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211322246.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法是由游佩武;吴迪;崔丹丹;裘立强;王毅设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法。涉及一种半导体器件。包括：衬底；P+衬底区，所述P+衬底区从衬底的顶部向下扩散，位于所述衬底内；所述衬底的顶部靠近边缘处设有环形豁口；所述环形豁口与P+衬底区的顶面之间设有弧形肩部；和氧化物钝化膜，所述氧化物钝化膜设置在所述弧形肩部上，分别与所述衬底和P+衬底区连接，平面二极管的顶面和底面分别设有金属层。所述金属层包括：上金属层，所述上金属层设置在氧化物钝化膜上，中部与所述P+衬底区连接；所述下金属层设置在衬底的底部。本发明有效避免平面二极管芯片边缘先雪崩，提升二极管的抗浪涌能力及可靠性，提升产品品质。
本发明授权一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高浪涌能力的平面二极管，其特征在于，包括： 衬底； P+衬底区，所述P+衬底区从衬底的顶部向下扩散，位于所述衬底内；所述衬底的顶部靠近边缘处设有环形豁口，所述环形豁口的内线设置在距离衬底与基区交界线内部50-100um的基区上侧，外线延伸至衬底外边缘，环形豁口的深度为3-15um；所述环形豁口与P+衬底区的顶面之间设有弧形肩部，所述弧形肩部使氧化物钝化膜下方的基区表面浓度降低，横向电阻及横向场强提升，进而增强结下方薄弱区的耐压能力；和 氧化物钝化膜，所述氧化物钝化膜的宽度为200-250um，覆盖所述环形豁口及衬底与基区交界处的主结，且氧化物钝化膜设置在所述弧形肩部上，分别与所述衬底和P+衬底区连接，用于强化基区边缘的耐压防护；平面二极管的顶面和底面分别设有金属层。
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