美光科技公司J·D·格林利获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180034733.5，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由J·D·格林利;J·D·霍普金斯设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层。横向间隔开的存储器块区形成，且个别地包括在所述导体层正上方包括交替的第一层和第二层的竖直堆叠。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层。水平伸长线形成于所述横向间隔开的存储器块区之间的所述导体材料中。所述水平伸长线具有与横向位于所述水平伸长线之间的所述导体材料的上部部分不同的组成。在所述水平伸长线形成之后，所述第一层中的最下部者的导电材料形成，所述导电材料将所述沟道材料串中的个别者的沟道材料和所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。本文公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
本发明授权包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括： 在衬底上形成包括导体材料的导体层； 形成横向间隔开的存储器块区，其个别地包括在所述导体层正上方包括交替的第一层和第二层的竖直堆叠，存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层； 在所述横向间隔开的存储器块区之间的所述导体材料中形成水平伸长线，所述水平伸长线具有与横向位于所述水平伸长线之间的所述导体材料的上部部分不同的组成；以及 在形成所述水平伸长线之后，形成所述第一层中的最下部者的导电材料，所述导电材料将所述沟道材料串中的个别者的沟道材料和所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。
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