世界先进积体电路股份有限公司陈志谚获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构及高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110730091.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及高电子迁移率晶体管是由陈志谚;钒达·卢设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包含超晶格结构、电隔离层、通道层及组成渐变层。超晶格结构设置于基底上，电隔离层设置于超晶格结构上，通道层设置于电隔离层上，以及组成渐变层设置于电隔离层与超晶格结构之间，其中组成渐变层与超晶格结构包含一相同的第三族元素，且在组成渐变层中的该相同的第三族元素的原子百分比从超晶格结构到电隔离层的方向上逐渐减少。此外，还提供包含此半导体结构的高电子迁移率晶体管。
本发明授权半导体结构及高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一超晶格结构，设置于一基底上； 一电隔离层，设置于所述超晶格结构上，其中所述超晶格结构包括复数个成对堆叠的一第一超晶格层和一第二超晶格层，所述第一超晶格层具有拉伸应力，所述第二超晶格层具有压缩应力，且在所述成对堆叠中，所述第二超晶格层堆叠在所述第一超晶格层上； 一通道层，设置于所述电隔离层上； 一组成渐变层，设置于所述电隔离层与所述超晶格结构之间，其中所述组成渐变层的厚度为所述电隔离层厚度的0.5％到5％，所述组成渐变层与所述超晶格结构包含一相同的第三族元素，且在所述组成渐变层中的所述相同的第三族元素的原子百分比从所述超晶格结构到所述电隔离层的方向上逐渐减少；以及 一拉伸应力层，设置于所述超晶格结构与所述组成渐变层之间，其中所述拉伸应力层的厚度为所述电隔离层厚度的0.2％到2％。
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