华虹半导体(无锡)有限公司冯秦旭获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利金属硅化物的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211344026.9，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权金属硅化物的形成方法是由冯秦旭;林建树;梁金娥;张守龙设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属硅化物的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种金属硅化物的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅介质层，栅介质层上形成有栅极，栅极周侧形成有侧墙，侧墙外两侧的衬底中形成有重掺杂区；通过第一靶材溅射沉积形成第一金属层，第一靶材包括镍和铂，第一金属层覆盖衬底、栅介质层、栅极和侧墙暴露的区域；通过第二靶材在第一金属层上溅射沉积形成第二金属层，第二靶材包括镍和铂，第二靶材中铂的含量高于第一靶材中铂的含量；进行热处理，在栅极和重掺杂区中形成金属硅化物。本申请通过在衬底上依次沉积第一金属层和第二金属层，其中沉积第一金属层所用的靶材中铂的含量小于沉积第二金属层所用的靶材中铂的含量，降低了硅损耗和推结深度，提高了器件的可靠性和良率。
本发明授权金属硅化物的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有栅介质层，所述栅介质层上形成有栅极，所述栅极周侧形成有侧墙，所述侧墙外两侧的衬底中形成有重掺杂区； 通过第一靶材溅射沉积形成第一金属层，所述第一靶材包括镍和铂，所述第一金属层覆盖所述衬底、所述栅介质层、所述栅极和所述侧墙暴露的区域； 通过第二靶材在所述第一金属层上溅射沉积形成第二金属层，所述第二靶材包括镍和铂，所述第二靶材中铂的含量高于所述第一靶材中铂的含量； 进行热处理，在所述栅极和所述重掺杂区中形成金属硅化物。
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