骏盈半导体(上海)有限公司郝军哲获国家专利权
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龙图腾网获悉骏盈半导体(上海)有限公司申请的专利一种多相控制电路的自适应斜坡补偿方法及电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115514224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211197090.9,技术领域涉及:H02M3/156;该发明授权一种多相控制电路的自适应斜坡补偿方法及电路是由郝军哲;杨晨设计研发完成,并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多相控制电路的自适应斜坡补偿方法及电路在说明书摘要公布了:一种多相控制电路的自适应斜坡补偿方法及电路,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤1,基于所述多相控制电路的电源电压、电感电流采样信号的负载限制、上功率管的导通斜率、斜坡补偿单元的导通斜率设置所述多相控制电路中斜坡补偿单元的斜坡补偿时限;步骤2,采用所述斜坡补偿时限和脉宽调制信号共同实现对所述多相控制电路的反馈控制。本发明电路包括斜坡补偿延时单元、与门、非门、开关管、补偿电容、偏置电流源、压控电流源、电阻和叠加电路,用于实现上述自适应斜坡补偿方法。本发明能够通过调节斜坡补偿在每个周期内的最高补偿时间,防止电路中相邻相位中控制信号差异过大,从而确保了整个系统的稳定。
本发明授权一种多相控制电路的自适应斜坡补偿方法及电路在权利要求书中公布了:1.一种多相控制电路的自适应斜坡补偿方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤: 步骤1,基于所述多相控制电路的电源电压、电感电流采样信号的负载限制、上功率管的导通斜率、斜坡补偿单元的导通斜率设置所述多相控制电路中斜坡补偿单元的斜坡补偿时限,具体为: 其中,T为所述斜坡补偿时限, kS1_i为第i相中所述上功率管的导通斜率,由第i相中电感值Li、采样电阻Ri确定, kramp_i为第i相中所述斜坡补偿单元的导通斜率,由第i相中偏置电流源的电流Ibias、补偿电容的电容值Ci确定, VCS_load_max为电感电流采样信号的最大直流值,由当前外加负载ILOAD的最大值决定, Vdd为所述多相控制电路的电源电压, Vdsat为维持充电电流源饱和状态的饱和漏源电压; 步骤2,采用所述斜坡补偿时限和脉宽调制信号共同实现对所述多相控制电路的反馈控制。
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