复旦大学江安全获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211209910.1，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件是由江安全;张文笛;江钧设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有超高介电常数和或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件。该方法包含：步骤a，在衬底上或附有第二电极的衬底上形成介质薄膜；该介质薄膜包含Hf1‑x1‑xZrxxO22薄膜，其为晶体或非晶态薄膜；0＜x＜1；步骤b，在所述介质薄膜上形成第一电极；步骤c，将第一电极分割为若干离散的微结构，每个微结构的横向尺寸为1nm～50μm；步骤d，退火处理，使得所述介质薄膜中低介电常数相减少，高介电常数相增加。采用本发明的方法提供的超高介电常数和或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件，最高介电常数和铁电剩余极化强度分别可大于921和404μCcm22，信息存储密度高，能够有效地降低器件的操作电压和漏电流，且与CMOS集成工艺兼容性良好，应用前景良好。
本发明授权具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种具有超高介电常数和或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法，其特征在于，该方法包含： 步骤a，在衬底上或附有第二电极的衬底上形成介质薄膜；所述介质薄膜包含Hf1-xZrxO2薄膜，其为晶体或非晶态薄膜；其中，0＜x＜1； 步骤b，在所述介质薄膜上形成第一电极； 步骤c，将第一电极分割为若干离散的微结构，每个微结构的横向尺寸为1nm～50μm； 步骤d，退火处理，使得所述介质薄膜中低介电常数相减少，高介电常数相增加，介质薄膜平均介电常数大于100。
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