株式会社电装宫田征典获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180030791.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由宫田征典;米田秀司;妹尾贤;药师川裕贵设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：具备半导体衬底10，该半导体衬底10具有IGBT区域1a和FWD区域1b，包括第1导电型的漂移层11、形成在漂移层11上的第2导电型的基极层12、在IGBT区域1a中形成在漂移层11中的与基极层12侧相反的一侧的第2导电型的集电极层21、以及在FWD区域1b中形成在漂移层11中的与基极层12侧相反的一侧的第1导电型的阴极层22。并且，将集电极层21做成具有将阴极层22中的漂移层11侧的仅一部分区域覆盖的延伸设置部21a的结构。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，在共通的半导体衬底上形成有具有IGBT元件的IGBT区域和具有FWD元件的FWD区域，其特征在于， 具备： 上述半导体衬底，具有上述IGBT区域和上述FWD区域，包括第1导电型的漂移层、形成在上述漂移层上的第2导电型的基极层、在上述IGBT区域中形成在上述漂移层中的与上述基极层侧相反的一侧的第2导电型的集电极层、以及在上述FWD区域中形成在上述漂移层中的与上述基极层侧相反的一侧的第1导电型的阴极层，以上述基极层侧的面为一面，以上述集电极层及上述阴极层侧的面为另一面； 第1导电型的发射极区域，在上述IGBT区域中形成在上述基极层的表层部； 栅极绝缘膜，在上述IGBT区域中形成在上述基极层中的上述漂移层与上述发射极区域之间； 栅极电极，形成在上述栅极绝缘膜上； 第1电极，配置在上述半导体衬底的一面侧，与上述基极层及上述发射极区域电连接；以及 第2电极，配置在上述半导体衬底的另一面侧，与上述集电极层及上述阴极层电连接； 上述集电极层具有将上述阴极层中的位于上述漂移层侧的全部区域覆盖的延伸设置部； 上述延伸设置部的面密度为3.5×1012cm－2以下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励