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龙图腾网获悉广东汇芯半导体有限公司申请的专利一种半导体芯片的制造设备及修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458447B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211273018.X，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种半导体芯片的制造设备及修复方法是由冯宇翔;黄浩设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体芯片的制造设备及修复方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体芯片的制造设备及修复方法，包括：机架、线槽、控制界面、第一导轨、第二导轨、绑线底座、化学气相沉积装置、绑线头以及拉力测试装置；绑线底座、第一导轨和化学气相沉积装置固定于机架上，第二导轨滑动设置于第一导轨上，绑线头滑动设置于第二导轨上，线槽的一端设置于第一导轨的一端，线槽的另一端设置于机架，控制界面固定于机架，拉力测试装置设置于绑线底座上，化学气相沉积装置用于修复半成品半导体芯片，控制界面分别与第一导轨、第二导轨、化学气相沉积装置、绑线头及拉力测试装置电连接。本发明芯片表面缺陷检测和修复方便，芯片耐压能力强，可靠性高。

本发明授权一种半导体芯片的制造设备及修复方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片的制造设备，其特征在于，包括：机架、线槽、控制界面、第一导轨、第二导轨、绑线底座、化学气相沉积装置、绑线头以及拉力测试装置； 所述绑线底座、所述第一导轨和所述化学气相沉积装置固定于所述机架上，所述第二导轨滑动设置于所述第一导轨上，所述绑线头滑动设置于所述第二导轨上，所述线槽的一端设置于所述第一导轨的一端，所述线槽的另一端设置于所述机架，所述控制界面固定于所述机架，所述拉力测试装置设置于所述绑线底座上，所述化学气相沉积装置用于修复半成品半导体芯片，所述控制界面分别与所述第一导轨、所述第二导轨、所述化学气相沉积装置、所述绑线头及所述拉力测试装置电连接； 所述第一导轨包括相对设置的两个，所述线槽包括两个，两个所述线槽分别设置于两个所述第一导轨的一端，所述第二导轨的两端分别滑动设置于两个所述第一导轨上；所述第一导轨用于实现所述绑线头Y轴移动，所述第二导轨用于实现所述绑线头X轴移动； 所述半导体芯片的制造设备还包括连接块，所述连接块的一端滑动设置于所述第二导轨，所述连接块的另一端下固定设置所述绑线头。

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