西安矽源半导体有限公司;西安电子科技大学王逸舟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安矽源半导体有限公司;西安电子科技大学申请的专利利用扰动处理SAR-ADC量化误差校正的方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115395956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210965266.4，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权利用扰动处理SAR-ADC量化误差校正的方法和系统是由王逸舟;张启东设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用扰动处理SAR-ADC量化误差校正的方法和系统在说明书摘要公布了：本发明提出了利用扰动处理SAR‑ADC量化误差校正的方法和系统，属于数据处理技术领域，其包括1SAR‑ADC采样差分模拟信号Vpp和Vnn；2对采样的差分模拟信号Vpp和Vnn进行量化；3注入扰动周期TDD，在扰动周期TDD内辅助DAC电容阵列在SAR‑ADC主电容阵列的正相和或SAR‑ADC主电容阵列的负相分别随机注入扰动VDpDp与VDnDn，对差分模拟信号Vpp和Vnn的最低位数字信号重新进行M次量化，M次量化完成后产生M11个正校正码和M00个负校正码，利用在差分SAR‑ADC量化过程中引入随机扰动的方法，在不改变SAR‑ADC主电容阵列的情况下降低量化分辨率带来的量化误差，提高了SAR‑ADC的精度。
本发明授权利用扰动处理SAR-ADC量化误差校正的方法和系统在权利要求书中公布了：1.利用扰动处理SAR-ADC量化误差校正的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1SAR-ADC对差分模拟信号Vp和Vn进行采样； 2对采样的差分模拟信号Vp和Vn进行量化； 3在量化后，注入扰动周期TD，在扰动周期TD内辅助DAC电容阵列在SAR-ADC主电容阵列的正相和或SAR-ADC主电容阵列的负相随机注入扰动VDp与VDn，对差分模拟信号Vp和Vn的最低位数字信号重新进行M次量化，差分模拟信号Vp和Vn的最低位数字信号在量化的过程中会随机产生M1个正校正码和M0个负校正码，其中，M1+M0＝M；M、M1和M0均为自然数，M1个正校正码代表更高模拟电压输入的数字信号个数，M0个负校正码代表更低模拟电压输入的数字信号个数； 根据M1和M0计算最低位数字信号的校正电压，计算公式为： VC为最低位的校正电压，VLSB为最低位的分辨率电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安矽源半导体有限公司;西安电子科技大学，其通讯地址为：710076 陕西省西安市雁塔区丈八四路20号神州数码科技园5幢16层b-1607室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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