上海积塔半导体有限公司刘东栋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211131618.2，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法是由刘东栋;徐盼举;张洁设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该绝缘栅双极型晶体管的制备方法包括以下步骤：提供一待背面离子注入且前端形成钝化层的绝缘栅双极型晶体管晶圆；对晶圆背面表层进行离子注入以形成第二导电类型掺杂层；将晶圆置于盛有处理试剂的清洗槽中处理预设时间；将处理后的晶圆置于晶舟上并放进炉管中，以对第二导电类型掺杂层进行炉管激活，且相邻两个位于晶舟中的晶圆至少间隔2个分隔齿，多个分隔齿沿同一方向间隔排列于晶舟的两个相对的侧壁；于进行激活后的晶圆背面形成背电极层。本发明通过于形成第二导电类型掺杂层之后进行处理试剂处理预设时间，并在炉管激活时，增加相邻两个所述晶圆之间的距离，从工艺上降低了器件的导通压降。
本发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一待背面离子注入且前端形成钝化层的绝缘栅双极型晶体管晶圆，所述晶圆背面的表层的导电类型为第一导电类型； 对所述晶圆背面表层进行离子注入以形成第二导电类型掺杂层； 将所述晶圆置于盛有处理试剂的清洗槽中处理预设时间，所述处理试剂包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸的浓度范围为0.5％～2％； 将处理后的所述晶圆装载于晶舟中并放入炉管，以对所述第二导电类型掺杂层进行炉管激活，且相邻两个位于所述晶舟中的所述晶圆至少间隔2个分隔齿，多个所述分隔齿沿同一方向间隔排列于所述晶舟的两个相对的侧壁上； 于进行激活后的所述晶圆的背面形成背电极层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国上海浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励