中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司严立巍获国家专利权
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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种IGBT晶圆的接触孔形成工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210938562.5，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种IGBT晶圆的接触孔形成工艺是由严立巍;文锺;马晴设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGBT晶圆的接触孔形成工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT晶圆的接触孔形成工艺，属于半导体领域。该方法包括以下步骤：通过LPCVD在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面面沉积氮化硅层，再干蚀刻氮化硅层形成深沟槽闸极侧壁的第一氮化硅垫片；在晶圆正面沉积ILD层；干蚀刻ILD层进行开孔，形成接触孔；在ILD层以及接触孔表面再次沉积氮化硅层，再干蚀刻该氮化硅层，在接触孔的侧壁上形成第二氮化硅垫片，且所述的第二氮化硅垫片侧壁呈形成自上而下逐渐变窄的缓坡状；通过溅镀厚膜Al，形成IGBT的Emittor结构。
本发明授权一种IGBT晶圆的接触孔形成工艺在权利要求书中公布了：1.一种IGBT晶圆的接触孔形成工艺，其特征在于，包括以下步骤： 通过LPCVD在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面沉积氮化硅层，再干蚀刻氮化硅层形成深沟槽闸极侧壁的第一氮化硅垫片； 在晶圆正面沉积ILD层； 干蚀刻ILD层进行开孔，形成接触孔； 在ILD层以及接触孔表面再次沉积氮化硅层，再干蚀刻该氮化硅层，在接触孔的侧壁上形成第二氮化硅垫片，且所述的第二氮化硅垫片侧壁呈自上而下逐渐变窄的缓坡状； 通过溅镀厚膜Al，形成IGBT的Emittor结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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