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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利超结选通AlGaN GaN HEMT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022980.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权超结选通AlGaN GaN HEMT是由张坤好;N·乔杜里设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结选通AlGaN GaN HEMT在说明书摘要公布了：一种晶体管器件，包括源极104和漏极105，所述源极和所述漏极位于沿竖直方向V的一位置处的水平面处。栅极111位于沿所述竖直方向比源极和漏极水平面更高的水平面处。所述源极和漏极水平面下方的第一区域包括第一III族氮化物III‑N层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层。所述栅极下方的第二区域包括第一III‑N层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层以及所述第二III‑N层上的第三III‑N层。所述第三III‑N层在沿晶体管的宽度的选择性位置处延伸穿过所述第二III‑N层并延伸到所述第一III‑N层的一部分中。所述第三III‑N层为P型掺杂的，并且所述第一III‑N和第二III‑N层为非故意掺杂的。

本发明授权超结选通AlGaN GaN HEMT在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，所述场效应晶体管包括： 源极和漏极，使得所述源极和所述漏极位于沿竖直方向的一位置处的水平面处； 栅极，使得所述栅极沿所述竖直方向位于比源极和漏极水平面更高的水平面处； 第一区域，所述第一区域位于所述源极和漏极水平面下方，使得所述第一区域包括第一III族氮化物III-N层、所述第一III-N层上的第二III-N层；以及 第二区域，该第二区域位于所述栅极下方，使得所述第二区域包括第一III-N层、所述第一III-N层上的第二III-N层以及所述第二III-N层上的第三III-N层，其中，所述第三III-N层在沿所述场效应晶体管的宽度的选择性位置处延伸穿过所述第二III-N层并延伸到所述第一III-N层的一部分中，其中，所述第三III-N层为P型掺杂的，并且所述第一III-N层和所述第二III-N层为非故意掺杂的， 所述第一III-N层的竖直长度比所述第二III-N层的竖直长度长， 在沿着所述场效应晶体管的宽度的剖面中， 从所述第三III-N层的与所述栅极相接的上表面到所述第二III-N层的上表面的竖直长度比从所述第二III-N层的下表面到延伸到所述第一III-N层的一部分的所述第三III-N层的下表面的竖直长度长， 所述第二III-N层的竖直长度比所述场效应晶体管的宽度方向上的所述第二III-N层彼此的间隔长。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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