正泰新能科技有限公司俞益波获国家专利权
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龙图腾网获悉正泰新能科技有限公司申请的专利一种TOPCon电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211032571.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种TOPCon电池及其制备方法是由俞益波;潘红军;康忠平;吴孙弟;卢玉荣设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TOPCon电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池制造领域，特别是公开了一种TOPCon电池及其制备方法通过对硅基体的正面氧化，得到正面氧化层；在所述硅基体的背面依次设置背面氧化层及多晶硅层；对所述正面氧化层的SE区进行激光开槽，得到扩散前置物，所述扩散前置物正面的凹槽贯穿所述正面氧化层；对所述扩散前置物的正面进行硼扩散，得到电池预制物；对所述电池预制物进行背面磷扩散、表面钝化及设置电极之后，得到所述TOPCon电池。本发明生产TOPCon电池仅需要一次扩散不仅简化了工艺流程，还大大延长了反应炉的使用寿命，同时降低了生产过程中对硼扩散药剂的需求，进而大大降低了生产成本。
本发明授权一种TOPCon电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括： 对硅基体的正面氧化，得到正面氧化层； 在所述硅基体的背面依次设置背面氧化层及多晶硅层； 对所述正面氧化层的SE区进行激光开槽，得到扩散前置物，所述扩散前置物正面的凹槽贯穿所述正面氧化层；通过所述开槽将所述SE区的正面氧化层打掉，露出所述硅基体； 对所述扩散前置物的正面进行硼扩散，得到电池预制物； 对所述电池预制物进行背面磷扩散、表面钝化及设置电极之后，得到所述TOPCon电池； 所述凹槽的深度的范围为0.01微米至1.00微米，包括端点值； 激光开槽所用的激光采用波长的范围为532nm或者266nm，激光能量≥25MJ，脉冲频率范围为5Hz至20Hz，脉冲宽度≤100ps； 在对所述电池预制物进行背面磷扩散之前，还包括： 采用HF酸对所述电池预制物进行酸洗，使非SE区的硼扩散浓度降低。
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