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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115280513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180019769.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由鸟山周一;住友正清;T·拉赫曼设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：在共同的半导体基板10上形成有具有IGBT元件的IGBT区域1a与具有FWD元件的FWD区域1b的半导体装置中，在IGBT区域1a形成从半导体基板10的一面10a露出、且相比于接触区域18a为低杂质浓度的第二导电型的载流子抑制区域19。而且，将第一电极21与载流子抑制区域19肖特基接合。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其在共同的半导体基板上形成有具有IGBT元件的IGBT区域和具有FWD元件的FWD区域，其特征在于，具备： 所述半导体基板，其具有所述IGBT区域和所述FWD区域，且包含：第一导电型的漂移层；形成在所述漂移层上的第二导电型的基极层；第二导电型的集电极层，在所述IGBT区域中形成于所述漂移层中的与所述基极层侧相反的一侧；以及第一导电型的阴极层，在所述FWD区域中形成于所述漂移层中的与所述基极层侧相反的一侧，所述半导体基板将所述基极层侧的面设为一面，将所述集电极层以及所述阴极层侧的面设为另一面； 栅极绝缘膜，其形成于多个沟槽的壁面，所述多个沟槽在所述IGBT区域中贯通所述基极层而到达所述漂移层，且将一个方向作为长度方向而被延伸设置； 配置于所述栅极绝缘膜上的栅极电极； 第一导电型的发射极区域，其在所述IGBT区域中为所述基极层的表层部，并且形成为与所述沟槽相接，杂质浓度比所述漂移层高； 第二导电型的接触区域，其在所述IGBT区域中形成于所述基极层的表层部，杂质浓度比所述基极层高； 第一电极，其配置于所述半导体基板的一面侧，与所述基极层以及所述发射极区域电连接；以及 第二电极，其配置于所述半导体基板的另一面侧，与所述集电极层以及所述阴极层电连接， 在所述IGBT区域形成有从所述半导体基板的一面露出、且杂质浓度比所述接触区域低的第二导电型的载流子抑制区域， 所述第一电极与所述载流子抑制区域肖特基接合。

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