江苏微导纳米科技股份有限公司张鹤获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏微导纳米科技股份有限公司申请的专利掺杂层的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210962034.3，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权掺杂层的制备方法及其应用是由张鹤;陈六;张密超;廖宝臣;吴兴华;李翔设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本掺杂层的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本申请提供了一种掺杂多晶硅层的制备方法及掺杂多晶硅层、掺杂非晶硅复合层的制备方法及掺杂非晶硅复合层、半导体器件和电池，所述掺杂多晶硅层的制备方法包括：a交替地制备本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，形成包括本征非晶硅层和复合在所述本征非晶硅层上的掺杂非晶硅层的循环单元；b晶硅化得到掺杂多晶硅层。本发明所述掺杂多晶硅层的制备方法采用在线掺杂，在掺杂多晶硅层厚度一定的情况下，从工艺的角度上可以降低掺杂源气体的使用量。将掺杂多晶硅层和掺杂非晶硅复合层应用在电池中可以降低电池制造成本，保证电池性能。
本发明授权掺杂层的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种掺杂多晶硅层的制备方法，其特征在于，包括： a交替地制备本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，形成包括本征非晶硅层和复合在所述本征非晶硅层上的掺杂非晶硅层的循环单元； b晶硅化得到掺杂多晶硅层； 其中，所述步骤a中，循环单元的本征非晶硅层靠近衬底； 在步骤b之前重复步骤a，形成多层包括本征非晶硅层和复合在所述本征非晶硅层上的掺杂非晶硅层的循环单元； 各层循环单元的厚度相同，循环单元中掺杂非晶硅层的厚度比例逐层提高； 多层循环单元包括n层，由第一层到第n层；各层循环单元中，掺杂非晶硅层中掺杂源的浓度相同或者逐层提高。
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