中国科学院物理研究所魏晋武获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110381200.6，技术领域涉及：H10N52/80；该发明授权人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器是由魏晋武;于国强;韩秀峰设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器在说明书摘要公布了：本发明涉及人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器。根据一实施例，一种人工反铁磁多层膜结构可包括：面内场耦合层，包括由铁磁导电材料形成的第一铁磁层和第二铁磁层，以及位于所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一间隔层，所述第一间隔层由非磁导电材料形成并且诱导所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合；自由磁层，包括由铁磁导电材料形成的第三铁磁层和第四铁磁层，以及位于所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层由具有自旋霍尔效应的材料形成并且诱导所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的反铁磁耦合；以及中间层，位于所述面内场耦合层与所述自由磁层之间，所述中间层由非磁材料形成。
本发明授权人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器在权利要求书中公布了：1.一种人工反铁磁多层膜结构，包括： 面内场耦合层，包括由铁磁导电材料形成的第一铁磁层和第二铁磁层，以及位于所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一间隔层，所述第一间隔层由非磁导电材料形成并且诱导所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合，以形成人工反铁磁结构； 自由磁层，包括由铁磁导电材料形成的第三铁磁层和第四铁磁层，以及位于所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层由具有自旋霍尔效应的材料形成并且诱导所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的反铁磁耦合，以形成人工反铁磁结构；以及 中间层，位于所述面内场耦合层与所述自由磁层之间，所述中间层由非磁材料形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院物理研究所，其通讯地址为：100190 北京市海淀区中关村南三街8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励