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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207098B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210873434.7，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件。该氮化物外延片包括衬底，设置于所述衬底上的氮化物缓冲层，设置于所述氮化物缓冲层上的氮化物外延层，所述氮化物外延层包括粗化调控层和至少一个氮化物工艺层，所述粗化调控层为交替层叠的氮化物调控生长层和氮化物调控中断层，所述氮化物调控中断层用于中断相邻两个氮化物调控生长层的连续性；在氮化物外延片厚度方向上，所述粗化调控层设置于氮化物工艺层上方，或者是设置于氮化物工艺层下方，或者是设置于两个氮化物工艺层之间。该氮化物外延片用于将氮化物表面粗化工艺从晶体质量工艺控制中分离出来，从而满足不同的外延技术需求。

本发明授权一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化物外延片的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1：提供衬底； 步骤S2：在所述衬底上生长氮化物缓冲层； 步骤S3：在所述氮化物缓冲层上形成生长氮化物外延层，所述氮化物外延层包括粗化调控层和至少一个氮化物工艺层，所述粗化调控层为交替层叠的氮化物调控生长层和氮化物调控中断层，所述氮化物调控中断层用于中断相邻两个氮化物调控生长层的连续性，在氮化物外延片厚度方向上，所述粗化调控层设置于氮化物工艺层上方，或者是设置于氮化物工艺层下方，或者是设置于两个氮化物工艺层之间； 其中，所述步骤S3包括： 步骤S31：生长至少一个氮化物工艺层； 步骤S32：生长氮化物调控生长层； 步骤S33：中断所述调控生长层的生长，生长氮化物调控中断层； 步骤S34：重复循环步骤S32和步骤S33，交替层叠的氮化物调控生长层和氮化物调控中断层形成粗化调控层； 所述步骤S32至步骤S34在步骤S31之前进行，或者，所述步骤S32至步骤S34在步骤S31之后进行，或者，所述步骤S32至步骤S34在两次步骤S31之间进行； 所述步骤S32中生长氮化物调控生长层和步骤S33中生长氮化物调控中断层的工艺时间比为0.5-25； 所述氮化物缓冲层、氮化物工艺层和氮化物调控生长层各自分别为AlaGabIn1-a-bN，1≥a≥0,1≥b≥0,1≥1-a-b≥0； 所述氮化物调控中断层为SiyM1-yNx，其中，1≥x≥0,1≥y≥0，M选自Ge、Mg、Al、In、Sn、B、S、O、C中的一种； 所述氮化物外延层的表面粗糙度为0.7-13nm。

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