深圳市汇芯通信技术有限公司刘国梁获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210717160.2，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管是由刘国梁;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管在说明书摘要公布了：本发明公开一种垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管，制作工艺包括以下步骤：提供衬底；在衬底的一侧表面上外延生长以形成势垒层；在势垒层上注入离子以形成P+区域；采用物理气相沉积法或化学气相沉积法，将低功函数的金属沉积于P+区域上，以形成第一欧姆接触金属层；在势垒层上溅射高功函数的合金，并进行退火处理，以同时形成第二欧姆接触金属层及肖特基接触金属层，第二欧姆接触金属层沉积于第一欧姆接触金属层上，肖特基接触金属层沉积于第二欧姆接触金属层上。本发明解决了肖特基二极管制作工艺中正向浪涌欧姆大的问题。
本发明授权垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构肖特基二极管制作工艺，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底； 在所述衬底的一侧表面上外延生长以形成势垒层； 在所述势垒层上注入离子以形成P+区域； 采用物理气相沉积法或化学气相沉积法，将低功函数的金属沉积于所述P+区域上，以形成第一欧姆接触金属层； 在所述势垒层上溅射高功函数的合金，并进行退火处理，以同时形成第二欧姆接触金属层及肖特基接触金属层，所述第二欧姆接触金属层沉积于所述第一欧姆接触金属层上，所述肖特基接触金属层沉积于所述第二欧姆接触金属层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市汇芯通信技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城(南区)T2栋2701；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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