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龙图腾网获悉塞莫费雪科学(不来梅)有限公司申请的专利离子阱获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210259959.1，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权离子阱是由H·斯图尔特;D·格林菲尔德;A·瓦格纳设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子阱在说明书摘要公布了：离子阱包括多极电极组合件、第一限制电极和第二限制电极。所述多极电极组合件被配置成将所述第一极性的离子限制在沿所述多极电极组合件的轴向方向延伸的离子通道中。所述第一限制电极与所述多极电极组合件相邻设置并且在所述多极电极组合件的所述轴向方向上延伸。所述第二限制电极与所述多极电极组合件相邻设置并且在与所述第一限制电极对齐的所述多极电极组合件的所述轴向方向上延伸。所述第一和第二限制电极在所述轴向方向上间隔开，以便在所述第一和第二限制电极之间限定所述离子通道的离子限制区域。所述第一和第二限制电极被配置成接收所述第一极性的DC电势以进一步将离子限制在所述离子通道内所述离子限制区域中。

本发明授权离子阱在权利要求书中公布了：1.一种用于冷却第一极性的离子以进行质谱分析的离子阱，所述离子阱包括：多极电极组合件，所述多极电极组合件包括牵引电极和推动电极，所述牵引电极具有贯穿其自身的孔，所述推动电极与所述牵引电极间隔开，并且所述多极电极组合件被配置成将所述第一极性的离子限制在沿所述多极电极组合件的轴向方向延伸的离子通道中，所述离子通道设置在所述推动电极和所述牵引电极之间； 第一限制电极，所述第一限制电极与所述多极电极组合件相邻设置并且在所述多极电极组合件的所述轴向方向上延伸； 第二限制电极，所述第二限制电极与所述多极电极组合件相邻设置并且在与所述第一限制电极对齐的所述多极电极组合件的所述轴向方向上延伸， 其中所述第一和第二限制电极在所述轴向方向上间隔开，所述间隔在所述第一和第二限制电极之间限定所述离子通道的离子限制区域， 所述第一和第二限制电极被配置成接收所述第一极性的DC电势以进一步将离子限制在所述离子通道内所述离子限制区域中，并且 所述牵引电极的所述孔与所述离子限制区域对齐，使得在向所述推动电极施加推动DC电势及向所述牵引电极施加牵引DC电势时，所述离子从所述离子阱中喷射。

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