山东华光光电子股份有限公司苏建获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种具有窗口结构的半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117734B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110287426.X，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种具有窗口结构的半导体激光器及其制备方法是由苏建;王潇潇;吴萌萌;徐现刚;郑兆河设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有窗口结构的半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有窗口结构的半导体激光器及其制备方法。所述激光器包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N‑限制层、N‑波导层、量子阱有源区、P‑波导层、P‑限制层、接触层、绝缘层以及P面电极；所述P‑限制层上设置有脊形结构，所述脊形结构包括P‑限制层和接触层形成的脊形发光结构，以及绝缘层与脊形发光结构之间的空白区域形成的窗口结构，所述窗口结构位于脊形发光结构的一端，轴对称分布于脊形发光结构两侧。本发明提供的具备窗口结构的半导体激光器，兼具脊形激光器两种常见结构的优势。既可以有效改善光斑，又能够提高光电参数合格率。
本发明授权一种具有窗口结构的半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具备窗口结构的半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N-限制层、N-波导层、量子阱有源区、P-波导层、P-限制层、接触层、绝缘层以及P面电极；其特征在于，所述P-限制层上设置有脊形结构，所述脊形结构包括P-限制层和接触层形成的脊形发光结构，以及绝缘层与脊形发光结构之间的空白区域形成的窗口结构，所述窗口结构位于脊形发光结构的一端，轴对称分布于脊形发光结构两侧； 所述所述绝缘层的厚度为50~200nm；所述脊形发光结构贯穿激光器的整个腔长，上底的宽度为3~10μm，下底的宽度为5~15μm；所述窗口结构的宽度为15~25μm，长度为80~120μm。
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