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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210772081.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种MOSFET器件及其制作方法是由任杰;王峰;李乐;黄永彬设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOSFET器件及其制作方法，该方法先采用第一刻蚀条件刻蚀硅衬底以得到第一沟槽，然后采用第二刻蚀条件刻蚀硅衬底以得到第二沟槽，第一沟槽的侧壁与硅衬底的法线之间的角度小于第二沟槽的侧壁与硅衬底的法线之间的角度，再采用第三刻蚀条件刻蚀硅衬底以得到隔离沟槽，隔离沟槽在硅衬底中划分得到位于硬掩膜层下方的有源区，有源区包括主体部及上方的帽层，帽层的宽度小于主体部的宽度，主体部的顶部拐角呈圆化拐角，后续栅介质层是通过氧化帽层得到，且在该过程中，有源区主体部的顶部拐角被隔离介质层所保护而不会被消耗，有利于减轻MOSFET器件上的寄生效应，避免出现双峰效应，最终提高MOSFET器件的电性能表现。

本发明授权一种MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一硅衬底，依次形成衬垫氧化层、硬掩膜层及光阻层于所述硅衬底上，并图形化所述光阻层； 基于图形化的所述光阻层刻蚀所述硬掩膜层及所述衬垫氧化层以显露所述硅衬底； 以所述硬掩膜层为掩膜并采用第一刻蚀条件刻蚀所述硅衬底以得到第一沟槽，所述第一沟槽自所述硅衬底的顶面往下延伸至第一深度； 以所述硬掩膜层为掩膜并采用与所述第一刻蚀条件不同的第二刻蚀条件刻蚀所述硅衬底以得到第二沟槽，所述第二沟槽自所述第一沟槽的底面往下延伸至第二深度，所述第一沟槽靠近所述硬掩膜层的一侧的侧壁与所述硅衬底的法线之间的角度小于所述第二沟槽靠近所述硬掩膜层的一侧的侧壁与所述硅衬底的法线之间的角度； 以所述硬掩膜层为掩膜并采用第三刻蚀条件刻蚀所述硅衬底以得到隔离沟槽，所述隔离沟槽在所述硅衬底中划分得到位于所述硬掩膜层下方的有源区，所述有源区包括主体部及位于所述主体部上方的帽层，所述帽层的宽度小于所述主体部的宽度，所述主体部的顶部拐角呈圆化拐角； 形成隔离介质层以填充所述隔离沟槽，并减薄所述隔离介质层以显露所述硬掩膜层； 去除所述硬掩膜层及所述衬垫氧化层以显露所述帽层，所述主体部的顶部拐角仍被所述隔离介质层所覆盖； 氧化所述帽层以得到栅介质层； 其中，所述采用第一刻蚀条件刻蚀所述硅衬底以得到第一沟槽的方法包括干法刻蚀，所述采用与所述第一刻蚀条件不同的第二刻蚀条件刻蚀所述硅衬底以得到第二沟槽的方法包括干法刻蚀，所述第一刻蚀条件下的干法刻蚀副产物产生速率小于所述第二刻蚀条件下的干法刻蚀副产物产生速率。

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