苏州聚谦半导体有限公司黄子伦获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州聚谦半导体有限公司申请的专利晶圆级芯片封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210588007.4，技术领域涉及：H10P54/00；该发明授权晶圆级芯片封装方法是由黄子伦设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆级芯片封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆级芯片封装方法，包括沉积保护层，以覆盖所述深沟槽结构的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述若干触点之间的空隙，刻蚀所述保护层以暴露所述深沟槽结构顶面和若干所述触点的顶面，刻蚀所述深沟槽结构，以形成凹槽结构，沉积封装材料，以覆盖剩余所述保护层的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述凹槽结构，以形成待分割晶圆，研磨所述待分割晶圆的底面，然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离，无需通过划片刀进行横向切割和纵向切割，极大的降低了成本。
本发明授权晶圆级芯片封装方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片，且所述芯片包括若干触点，所述芯片之间开设有深沟槽结构； 沉积保护层，以覆盖所述深沟槽结构的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述若干触点之间的空隙； 刻蚀所述保护层以暴露所述深沟槽结构顶面和若干所述触点的顶面； 刻蚀所述深沟槽结构，以形成凹槽结构； 沉积封装材料，以覆盖剩余所述保护层的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述凹槽结构，以形成待分割晶圆； 研磨所述待分割晶圆的底面，然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州聚谦半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区星湖路328号创意产业园21-A401-001单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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