浙江大学杭州国际科创中心张亦舒获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利三端忆阻神经元器件的制备方法、三端忆阻神经元器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210243084.6，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权三端忆阻神经元器件的制备方法、三端忆阻神经元器件是由张亦舒;汪华设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本三端忆阻神经元器件的制备方法、三端忆阻神经元器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种三端忆阻神经元器件及其制备方法，其中制备方法包括依次进行的以下步骤：于衬底上表面制备输入端电极，获得第一中间件，其中输入端电极为银电极；于所述第一中间件上表面制备绝缘层，并在绝缘层上开设接触通孔；于绝缘层上表面制备活性层，并于所述活性层上表面形成输出端电极，获得第二中间件，其中，将活性层位于所述接触通孔内的区域作为活性区域，所述活性区域分别与所述输入端电极的上表面和输出端电极的下表面相接；于所述第二中间件上表面制备限流层，并于所述限流层上表面形成接地端电极，获得三端忆阻神经元器件。本发明提出的三端忆阻神经元器件不需要借助外部电路，即可实时基于所接收的输入信号输出相应的脉冲信号。
本发明授权三端忆阻神经元器件的制备方法、三端忆阻神经元器件在权利要求书中公布了：1.一种三端忆阻神经元器件的制备方法，其特征在于，包括依次进行的以下步骤： S100、于衬底上表面制备输入端电极，获得第一中间件，其中输入端电极为银电极； S200、于所述第一中间件上表面制备绝缘层，并在所述绝缘层上开设接触通孔； S300、于所述绝缘层上表面制备活性层，并于所述活性层上表面形成输出端电极，获得第二中间件，其中，将活性层位于所述接触通孔内的区域作为活性区域，所述活性区域分别与所述输入端电极的上表面和输出端电极的下表面相接，器件工作过程中，银导电细丝在活性区域中，从输入端电极向输出端电极生长，所述银导电细丝在电压下的动态生长和断裂过程用于模拟钾离子和钠离子的开关状态； S400、于所述第二中间件上表面制备限流层，并于所述限流层上表面形成接地端电极，获得三端忆阻神经元器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学杭州国际科创中心，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励