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龙图腾网获悉苏州乐琻半导体有限公司申请的专利表面发射激光器器件和包括其的发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899706B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210428621.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权表面发射激光器器件和包括其的发光器件是由姜镐在;张正训设计研发完成，并于2019-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本表面发射激光器器件和包括其的发光器件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件，表面发射激光器器件包括：第一反射层、第二反射层和有源区，第一反射层包括：具有第一铝浓度的第一‑第一层；具有高于第一铝浓度的第二铝浓度并且被布置在第一‑第一层上的第一‑第二层；以及第一‑第三层，第一‑第三层被布置在第一‑第一层和第一‑第二层之间并且具有在第一‑第三层内从第一铝浓度变化到第二铝浓度的第三铝浓度，第一‑第一层比第一‑第二层更靠近有源区，第一‑第一层、第一‑第二层和第一‑第三层掺杂有第一导电类型的掺杂剂，第一‑第三层的第一导电掺杂浓度低于第一‑第一层的第一导电掺杂浓度和或第一‑第二层的第一导电掺杂浓度。

本发明授权表面发射激光器器件和包括其的发光器件在权利要求书中公布了：1.一种表面发射激光器器件，包括： 第一反射层和第二反射层；以及 有源区，所述有源区被布置在所述第一反射层和所述第二反射层之间， 其中，所述第一反射层包括第一组第一反射层和第二组第一反射层，所述第二组第一反射层比所述第一组第一反射层更加靠近所述有源区， 其中，所述第一反射层包括第一导电掺杂剂，所述第一组第一反射层的第一导电掺杂剂的浓度高于所述第二组第一反射层的第一导电掺杂剂的浓度， 其中，所述第一反射层包括： 第一-第一层，所述第一-第一层具有第一铝浓度； 第一-第二层，所述第一-第二层具有高于所述第一铝浓度的第二铝浓度并且被布置在所述第一-第一层上；以及 第一-第三层，所述第一-第三层被布置在所述第一-第一层和所述第一-第二层之间并且具有在所述第一-第三层内从所述第一铝浓度变化到所述第二铝浓度的第三铝浓度， 其中，所述第一-第一层比所述第一-第二层更靠近所述有源区， 其中，所述第一-第三层的第一导电掺杂浓度低于所述第一-第一层的第一导电掺杂浓度和或所述第一-第二层的第一导电掺杂浓度， 所述有源区包括第一腔体、有源层以及第二腔体，所述第一腔体设置于所述第一反射层上，所述有源层设置于所述第一腔体和所述第二腔体之间， 所述第一腔体中的铝浓度以在所述有源层的方向中减小， 所述第二腔体中的铝浓度以在所述有源层的方向中减小，以及 所述第二腔体的宽度大于所述第一腔体的宽度。

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