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龙图腾网获悉江苏中科汉韵半导体有限公司申请的专利平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210585557.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法及结构是由袁述;黎力;苗青;李凯;江明璋设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种平面型SiCMOSFET器件的元胞制备方法及结构。其包括如下步骤：步骤1、提供具有SiC晶片，并制备一第二导电类型层；步骤2、制备注入第一遮挡体；步骤3、在第二导电类型层内形成若干所需的第一类型注入区；步骤4、制备所需的注入第二遮挡体；步骤5、制备得到第一导电类型连接区，以通过第一导电类型连接区以及所述第一导电类型连接区正上方的第一导电类型注入区使得所述第一导电类型连接区两侧的第二导电类型层隔离；步骤6、去除上述注入第二遮挡体，并进行所需的正面元胞工艺，以制备得到所需的平面元胞。本发明能避免沟道处由注入带来的损伤，在提升沟道迁移率的同时又增强了可靠性。

本发明授权平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种平面型SiCMOSFET器件的元胞制备方法，其特征是，所述元胞制备方法包括如下步骤： 步骤1、提供具有第一导电类型的SiC晶片，并在所述SiC晶片上制备一第二导电类型层； 步骤2、在第二导电类型层上制备所需的注入第一遮挡体； 步骤3、在上述第二导电类型层上方进行第一导电类型杂质离子注入，利用注入第一遮挡体对第二导电类型层的遮挡，以在第二导电类型层内形成若干所需的第一类型注入区，所述第一导电类型注入区在第二导电类型层内的注入深度小于第二导电类型层的厚度； 在第二导电类型层内，相邻的第一类型注入区利用第二导电类型层间隔，以使得每个第一类型注入区间相互独立；相邻第一类型注入区之间的区域形成MOSFET元胞的导电沟道区，此时形成的导电沟道区不会受到第一导电类型杂质离子注入的影响； 步骤4、去除上述注入第一遮挡体，并在第二导电类型层上制备所需的注入第二遮挡体，所述注入第二遮挡体包括若干注入第二遮挡体注入窗口，所述注入第二遮挡体注入窗口与第二导电类型层内导电通道区之间的第一类型注入区正对应，并通过第二遮挡体注入窗口将待形成导电通道区之间的第一导电类型注入区露出； 步骤5、利用注入第二遮挡体在上述第二导电类型层上进行第一导电类型杂质离子注入，以在上述导电沟道区之间的第一导电类型注入区正下方得到第一导电类型连接区，所述第一导电类型连接区的上端与正对应的第一导电类型注入区接触连接，所述第一导电类型连接区的下端与SiC晶片接触连接，以通过第一导电类型连接区以及所述第一导电类型连接区正上方的第一导电类型注入区使得所述第一导电类型连接区两侧的第二导电类型层隔离； 对连接两个第二导电类型层的第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区的端部进入第二导电类型层内，或所述第一导电类型注入区的端部与第二导电类型层的端部接触； 步骤6、去除上述注入第二遮挡体，并进行所需的正面元胞工艺，以制备得到所需的平面元胞。

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