华虹半导体(无锡)有限公司钱江勇获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利CIS的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210336423.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CIS的制作方法是由钱江勇;程刘锁;张继亮设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本CIS的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种CIS的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域用于形成钳位光电二极管，第二区域用于形成逻辑器件，第三区域用于形成CIS，衬底上形成有第一氧化层，第二区域的第一氧化层上形成有第一栅极，第一栅极是所述逻辑器件的栅极；在除第二区域外的其它区域覆盖光阻；在第一栅极的两侧形成第一侧墙；在第一侧墙的外侧形成第二侧墙；去除光阻。本申请通过在包含钳位光电二极管的CIS的制作过程中，用光阻覆盖除逻辑器件所在的区域以外的其它区域，避免了在形成逻辑器件的栅极的侧墙过程中，由于刻蚀工艺对第一氧化层减薄而导致的晶圆表面的损伤，从而在一定程度上降低了CIS的白噪声。
本发明授权CIS的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种CIS的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域用于形成钳位光电二极管，所述第二区域用于形成逻辑器件，所述第三区域用于形成CIS，所述衬底上形成有第一氧化层，所述第二区域的第一氧化层上形成有第一栅极，所述第一栅极是所述逻辑器件的栅极； 在除所述第二区域外的其它区域覆盖光阻； 在所述第一栅极的两侧形成第一侧墙，在形成所述第一侧墙后，所述其它区域的第一氧化层的厚度大于80埃； 在所述第一侧墙的外侧形成第二侧墙； 去除光阻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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