上海积塔半导体有限公司张炜虎获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210464433.7，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权半导体器件结构及其制备方法是由张炜虎;王珊珊;仇峰设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法，包括：场板和多个电阻，多个电阻的阻值不尽相同，各电阻一端分别电连接至场板的表面的不同位置处，另一端均连接源端电压，由于各电阻与场板连接点处的电势因各电阻阻值的不同而有所不同，通过调节各电阻的阻值的方式，能够准确地对场板各部分的电势进行调节。
本发明授权半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括： 场板； 多个电阻，多个所述电阻的阻值不尽相同；各所述电阻一端分别电连接至所述场板的表面的不同位置处，另一端均连接源端电压，各所述电阻与所述场板连接点处的电势因各所述电阻阻值的不同而有所不同； 多个间隔排布的第一互连结构，多个所述第一互连结构一端分别与所述电阻一一对应连接，另一端分别位于所述场板表面的不同位置处； 衬底，所述衬底内形成有相邻接的源区及漏区； 场氧化层，位于所述衬底的表面，且自所述源区的表面延伸至所述漏区的表面；其中，所述场板自所述源区的表面延伸至所述场氧化层远离所述衬底的表面； 第二互连结构，所述第二互连结构位于多个所述第一互连结构远离所述源区的一侧，一端与所述场板相接触，另一端连接输入电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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