江苏第三代半导体研究院有限公司周溯沅获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210468506.X，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件是由周溯沅;闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件，所述方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底上依次生长U型氮化物层、轻掺P型氮化物层和采用delta掺杂法生长的高掺P型氮化物层；在腔内进行退火；其中，所述高掺P型氮化物层呈周期性生长，其每个周期生长包括以下步骤：通入N源和三族金属源，并加入表面活化剂，形成非掺氮化物层；切断三族金属源和表面活化剂，进行N源吹扫；通入掺杂源，所述掺杂源的掺杂元素包括Mg和Cu，Mg元素为主要掺杂元素，Cu元素为辅助掺杂元素。本发明提高P型氮化物载流子浓度的同时具有较好的晶体质量和外延表面质量。
本发明授权P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种P型氮化物外延结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 提供衬底； 在衬底上依次生长U型氮化物层、轻掺P型氮化物层和采用delta掺杂法生长的高掺P型氮化物层； 在腔内进行退火； 其中，所述高掺P型氮化物层呈周期性生长，其每个周期生长包括以下步骤： 通入N源和三族金属源，并加入表面活化剂，形成非掺氮化物层； 切断三族金属源和表面活化剂，进行N源吹扫； 通入掺杂源，所述掺杂源的掺杂元素包括Mg和Cu，Mg元素为主要掺杂元素，Cu元素为辅助掺杂元素； 其中，所述轻掺P型氮化物层的生长压力小于高掺P型氮化物层，通入掺杂源中Cu的掺杂浓度小于Mg的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏第三代半导体研究院有限公司，其通讯地址为：215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励