中国科学院半导体研究所赵洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210471109.8，技术领域涉及：H10K85/50；该发明授权氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由赵洋;马飞;瞿子涵;张兴旺;游经碧设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开了一种氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其中，该氯化铷掺杂的钙钛矿包括钙钛矿主体和PbI2222RbCl，其中PbI2222RbCl的XRD特征峰位于11.3°。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、空穴传输层和金属电极。
本发明授权氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氯化铷掺杂的钙钛矿吸光层，其特征在于，所述氯化铷掺杂的钙钛矿吸光层包括钙钛矿主体和PbI22RbCl，其中PbI22RbCl的XRD特征峰位于11.3°； 所述钙钛矿主体包括甲脒铅碘； 所述PbI22RbCl是由氯化铷与钙钛矿吸光层中自身不稳定的副产物碘化铅进行反应而生成。
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