桑迪士克科技有限责任公司D·杜塔获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利在电路之间具有存储器阵列的非易失性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110649254.6，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权在电路之间具有存储器阵列的非易失性存储器是由D·杜塔;J·凯;J·阿尔斯迈耶;陈建设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本在电路之间具有存储器阵列的非易失性存储器在说明书摘要公布了：本公开题为“在电路之间具有存储器阵列的非易失性存储器”。本发明提供了一种集成存储器组件，该集成存储器组件包括存储器管芯和接合到该存储器管芯的控制管芯。该存储器管芯包括三维非易失性存储器结构和第一多个感测放大器。该第一多个感测放大器连接到该存储器结构并且定位在该存储器管芯的衬底上以及该存储器结构和该衬底之间，使得该存储器结构在该第一多个感测放大器的正上方。该控制管芯包括连接到该存储器结构的第二多个感测放大器。该第一多个感测放大器和该第二多个感测放大器被配置为用于同时执行存储器操作。
本发明授权在电路之间具有存储器阵列的非易失性存储器在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储装置，包括： 第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括衬底、定位在所述衬底上的第一控制电路和定位在所述第一控制电路正上方的非易失性存储器单元；和 第二半导体管芯，所述第二半导体管芯包括第二控制电路，所述第二半导体管芯还包括用于存储器控制器的接口和用于所述第一半导体管芯的接口，所述第二半导体管芯直接连接到所述第一半导体管芯，所述第一控制电路被配置为用于对所述非易失性存储器单元的第一子集执行存储器操作，所述第二控制电路被配置为用于对所述非易失性存储器单元的第二子集执行所述存储器操作。
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