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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利化合物半导体集成电路制造方法及相关产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210278638.6，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权化合物半导体集成电路制造方法及相关产品是由樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本化合物半导体集成电路制造方法及相关产品在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种化合物半导体集成电路制造方法及相关产品，应用于电路制造系统，用于制造集成有功率放大器和滤波器的化合物半导体集成电路，功率放大器包括基于磷化铟异质结双极晶体管的功率放大器，滤波器包括无源滤波器；方法包括：获取初始晶圆，在初始晶圆上设置外延层、钝化层和金属层，得到第一形态化合物半导体集成电路，针对第一形态化合物半导体集成电路执行预设的正面制造工艺，得到第二形态化合物半导体集成电路，针对第二形态化合物半导体集成电路执行预设的背面制造工艺，得到化合物半导体集成电路；将包括功率放大器、滤波器、低噪放大器等射频前端电路集成到同一芯片上，有利于提高化合物半导体集成电路制造的高效性。

本发明授权化合物半导体集成电路制造方法及相关产品在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体集成电路制造方法，其特征在于，应用于电路制造系统，所述电路制造系统用于制造集成有功率放大器和滤波器的化合物半导体集成电路，所述功率放大器包括基于磷化铟异质结双极晶体管的功率放大器，所述滤波器包括无源滤波器；所述方法包括： 获取初始晶圆，在所述初始晶圆上设置外延层、钝化层和金属层，得到第一形态化合物半导体集成电路，所述外延层、所述钝化层和所述金属层形成由下至上的位置关系，所述金属层包括所述功率放大器的第一金属层和第二金属层，所述钝化层用于保护所述化合物半导体集成电路； 针对所述第一形态化合物半导体集成电路执行预设的正面制造工艺，得到第二形态化合物半导体集成电路，所述第二形态化合物半导体集成电路包括所述功率放大器的功率放大器外延层，所述功率放大器外延层包括发射极、基极和收集极，所述滤波器和所述功率放大器之间通过隔离凹槽隔离； 针对所述第二形态化合物半导体集成电路执行预设的背面制造工艺，得到所述化合物半导体集成电路，所述背面制造工艺包括制作所述功率放大器的背孔、背孔金属层和背面金属层，包括：刻蚀所述晶圆和所述功率放大器外延层，形成所述功率放大器的背孔；在所述背孔的内侧边设置金属，形成所述功率放大器的背孔金属层；在所述晶圆的下端区域设置金属，形成所述功率放大器的背面金属层，所述背孔金属层与所述收集极相连，所述发射极通过所述背孔金属层连接到所述背面金属层而接地。

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