合肥矽力杰半导体技术有限公司代克获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥矽力杰半导体技术有限公司申请的专利电感结构及电源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210330906.4，技术领域涉及：H01F27/255；该发明授权电感结构及电源电路是由代克;危建;颜佳佳设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本电感结构及电源电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种电感结构及电源电路，包括：至少一个磁芯及N组绕组，每组所述绕组包括一个相输出线圈和一个相间耦合线圈；所述磁芯上设置有贯通孔，一组所述绕组的所述相输出线圈和所述相间耦合线圈均穿过同一所述贯通孔并分别绕设在所述贯通孔的两侧，一个所述磁芯上至少绕设一组所述绕组，各所述相间耦合线圈均位于所述磁芯的同一侧，各所述相输出线圈均位于所述磁芯的另一侧，所述相输出线圈与所述相间耦合线圈之间有绝缘设置；其中，N为大于等于2的自然数。本发明的电感结构的磁芯采用磁粉芯材料，并通过间接耦合的方式实现多路电感之间的负耦合，具有大电流应用的瞬态响应速度快、电感尺寸小、散热能力强等优点。
本发明授权电感结构及电源电路在权利要求书中公布了：1.一种电感结构，其特征在于，包括：至少一个磁芯及N组绕组，每组所述绕组包括一个相输出线圈和一个相间耦合线圈； 所述磁芯上设置有贯通孔，一组所述绕组的所述相输出线圈和所述相间耦合线圈均穿过同一所述贯通孔并分别绕设在所述贯通孔的两侧，一个所述磁芯上至少绕设一组所述绕组，各所述相间耦合线圈均位于所述磁芯的同一侧，各所述相输出线圈均位于所述磁芯的另一侧，所述相输出线圈与所述相间耦合线圈之间有绝缘设置； 其中，N为大于等于2的自然数，所述相间耦合线圈之间依次串联，串联后的相间耦合线圈与各相输出线圈之间形成负耦合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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