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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210270867.3，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块是由王来利;张彤宇;熊帅设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块，若干串联或并联的宽禁带功率半导体芯片排布在功率基板上表面的导电金属基板上；顶部以及底部功率衬底由旁路铜柱、辅助铜柱进行支撑连接；旁路铜柱的布局设计使得功率模块中并联芯片散热环境相似、热耦合一致，达到芯片均温的效果；旁路铜柱的热量传递能力提供芯片向顶部功率衬底传导热量的通道，大幅提高芯片散热能力，适用于多个宽禁带半导体功率芯片并联的大电流等级功率模块。

本发明授权一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块，其特征在于，包括若干串联或并联的宽禁带功率半导体芯片，宽禁带功率半导体芯片设置在顶部功率衬底100和底部功率衬底200之间，顶部功率衬底100和底部功率衬底200之间通过旁路铜柱和辅助铜柱支撑连接； 宽禁带功率半导体芯片与底部功率衬底200的上导电金属区域功率回路之间通过键合线连接，宽禁带功率半导体芯片与顶部功率衬底100的上导电金属区域功率回路之间通过旁路铜柱以及辅助铜柱连接，通过若干宽禁带功率半导体芯片构成半桥结构的上桥臂和下桥臂； 在底部功率衬底200的上表面设置有功率端子；顶部功率衬底100下表面的导电金属区域以及底部功率衬底200上表面的导电金属区域分别设置有驱动端子； 上下桥臂驱动端子在空间上异侧排布且设置于不同功率衬底之上； 顶部功率衬底100从上到下依次包括顶部上表面金属层101、顶部绝缘介质层102和顶部下表面金属层103，顶部下表面金属层103上划分有若干导电区域，若干导电区域包括顶部第一导电区域111、顶部第二导电区域112、顶部第三导电区域113、顶部第四导电区域114、顶部第五导电区域115和顶部第六导电区域116，顶部第一导电区域111和顶部第二导电区域112与驱动端子连接，顶部第三导电区域113和顶部第四导电区域114与宽禁带功率半导体芯片的导热路径连接，顶部第五导电区域115和顶部第六导电区域116连接驱动回路； 底部功率衬底200从上到下依次包括底部上表面金属层201、底部绝缘介质层202和底部下表面金属层203，底部上表面金属层201上设置有若干导电区域，若干导电区域包括底部第一导电区域211、底部第二导电区域212、底部第三导电区域213、底部第四导电区域214、底部第五导电区域215、底部第六导电区域216、底部第七导电区域217、底部第八导电区域218、底部第九导电区域219和底部第十导电区域220；底部第一导电区域211、底部第五导电区域215和底部第六导电区域216与功率端子连接，底部第二导电区域212、底部第四导电区域214、底部第七导电区域217、底部第八导电区域218、底部第九导电区域219和底部第十导电区域220分别与对应驱动回路连接，底部第三导电区域213与旁路铜柱连接；宽禁带半导体功率芯片包括设置于底部第五导电区域215上的若干上桥臂芯片，以及设置于底部第三导电区域213上的若干下桥臂芯片。

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