武汉新芯集成电路制造有限公司赵长林获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利晶圆划片方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011452323.6，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权晶圆划片方法是由赵长林;胡胜;郭万里设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆划片方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆划片方法，包括：提供一晶圆；执行第一次切割，沿晶圆的厚度方向切割介质层停在衬底靠近金属层的一侧表面，切割处形成第一沟槽；在衬底远离金属层的一侧表面上形成混合键合结构；执行第二次切割，切割混合键合结构停在衬底远离金属层的一侧表面，切割处形成第二沟槽；以图形化的光阻层为掩膜，贯穿第二沟槽暴露出的衬底，将第二沟槽与第一沟槽连通。通过第一次切割、第二次切割以及以图形化的光阻层为掩膜，贯穿第二沟槽暴露出的衬底，将第二沟槽与第一沟槽连通，在晶圆厚度方向上逐次、分阶段切割，避免划片过程中的劈裂及损伤芯片；混合键合结构的表面因图形化的光阻层的保护而不被污染及破坏，实现有效的晶圆划片。
本发明授权晶圆划片方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆划片方法，其特征在于，包括： 提供一晶圆，所述晶圆包括衬底、位于所述衬底上的介质层和嵌设于所述介质层中的金属层； 执行第一次切割，沿所述晶圆的厚度方向切割所述介质层停在所述衬底靠近所述金属层的一侧表面，切割处形成第一沟槽； 在所述衬底远离所述金属层的一侧表面上形成混合键合结构； 执行第二次切割，沿所述晶圆的厚度方向至少切割所述混合键合结构以停在所述衬底远离所述金属层的一侧表面，切割处形成第二沟槽；所述第二沟槽和所述第一沟槽在所述衬底上的投影相同； 形成位于所述混合键合结构上的图形化的光阻层，所述图形化的光阻层具有开口，所述开口与所述第二沟槽在所述衬底上的投影相同； 以所述图形化的光阻层为掩膜，贯穿被所述开口和所述第二沟槽暴露出的所述衬底，将所述第二沟槽与所述第一沟槽连通。
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