中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司卞成洙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种化学气相沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011414503.5，技术领域涉及：H10P14/692；该发明授权一种化学气相沉积方法是由卞成洙;高建峰;刘卫兵;白国斌设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化学气相沉积方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种化学气相沉积方法，涉及半导体技术领域，可解决不同处理室的等离子体效应对硬掩模层的影响不同的问题。一种基板的制造方法，包括：将衬底放入处理室中，并在所述衬底上形成硬掩模层；向所述处理室中通入形成等离子体所需的气体；打开所述处理室的电源，形成预等离子体；向所述处理室继续通入前驱体以及形成所述等离子所需的气体，进行化学气相沉积工艺，在所述硬掩模层上形成薄膜。
本发明授权一种化学气相沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括： 将衬底放入处理室中，并在所述衬底上形成硬掩模层； 向所述处理室中通入形成等离子体所需的气体； 打开所述处理室的电源，形成预等离子体；通过控制通入形成等离子体所需的气体的时间，来控制形成预等离子体的时间，进而控制硬掩模层被刻蚀的厚度，以中和因次等离子体刻蚀的硬掩模层的厚度； 向所述处理室继续通入前驱体以及形成所述等离子所需的气体，进行化学气相沉积工艺，在所述硬掩模层上形成薄膜； 打开电源前向所述处理室通入的形成所述等离子体所需的气体的流量，为进行化学气相沉积工艺时向所述处理室通入的形成所述等离子体所需的气体和前驱体的流量的50%~120%。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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