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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利垂直场效应晶体管和用于其构造的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080073952.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权垂直场效应晶体管和用于其构造的方法是由D·斯霍尔滕;J·巴林豪斯;D·克雷布斯设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直场效应晶体管和用于其构造的方法在说明书摘要公布了：提供一种垂直场效应晶体管200，其具有：带有第一导电性类型的漂移区域204；在所述漂移区域204上或者上方的半导体鳍片206；和在所述半导体鳍片206上或者上方的源漏电极214,216，其中，所述半导体鳍片206具有能导电的区域208和限制结构210，所述能导电的区域将所述源漏电极214,216与所述漂移区域204能导电地连接，所述限制结构横向地在所述能导电的区域208旁边构造并且从所述源漏电极214,216到所述漂移区域204去地延伸，其中，所述限制结构210设置用于，将所述垂直场效应晶体管在所述半导体鳍片206中的导电的通道限制到所述能导电的区域208的区上。

本发明授权垂直场效应晶体管和用于其构造的方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直场效应晶体管200,300,400,500,600,700，其具有： 具有第一导电性类型的漂移区域204； 在所述漂移区域204上或者在所述漂移区域204上方的半导体鳍片206； 在所述半导体鳍片206上或者在所述半导体鳍片206上方的源电极漏电极214,216；和 栅电极212，所述栅电极构造在所述半导体鳍片206的至少一个侧壁旁边， 其中，所述半导体鳍片206具有能导电的区域208和限制结构210，所述能导电的区域将所述源电极漏电极214,216与所述漂移区域204能导电地连接，所述限制结构在横向上构造在所述能导电的区域208旁边并且从所述源电极漏电极214,216向所述漂移区域204延伸，其中，所述限制结构210设置用于，将所述垂直场效应晶体管在所述半导体鳍片206中的导电的通道限制到所述能导电的区域208的区域上， 其中，所述限制结构210在横向地布置在所述栅电极212旁边的第一区段404中具有比在所述限制结构210的其他区段中更大的横向的延展，从而在所述半导体鳍片206的与所述限制结构210的第一区段404相对应的区域中的能导电的区域具有收缩的区段402。

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