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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司;北京智芯半导体科技有限公司申请的专利多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114553001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210032532.8，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器是由闻志国;王文赫;杜君;姜帆;孙南;郭飞;刘立宗设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器，其中，多有源桥闭锁升压的抑制方法包括以下步骤：在多有源桥中存在闭锁H桥时，确定闭锁H桥的结电容值，并确定至少一个未闭锁H桥与闭锁H桥之间的等值电感值；根据等值电感值和结电容值确定至少一个未闭锁H桥的两相桥臂相位差；根据两相桥臂相位差对至少一个未闭锁H桥进行内移相控制，以对闭锁H桥的端口电压进行抑制。由此，本发明的多有源桥闭锁升压的抑制方法可以保证当多有源桥中出现闭锁H桥时仍然能够处于安全的电流电压下，并且多有源桥中其他未闭锁的H桥也能够正常运行，提高了多有源桥的工作效率和使用寿命。

本发明授权多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器在权利要求书中公布了：1.一种多有源桥闭锁升压的抑制方法，其特征在于，包括： 在多有源桥中存在闭锁H桥时，确定所述闭锁H桥的结电容值，并确定至少一个未闭锁H桥与所述闭锁H桥之间的等值电感值； 根据所述等值电感值和所述结电容值确定所述至少一个未闭锁H桥的两相桥臂相位差； 根据所述两相桥臂相位差对所述至少一个未闭锁H桥进行内移相控制，以对所述闭锁H桥的端口电压进行抑制； 所述方法还包括： 确定每个未闭锁H桥的端口电压相位，并根据每个未闭锁H桥的端口电压相位对相应的未闭锁H桥进行外移相控制； 确定每个未闭锁H桥的端口电压相位，包括：将第一未闭锁H桥的端口电压相位设定为基准值，所述第一未闭锁H桥为任意一个未闭锁H桥；获取每个未闭锁H桥的端口电压，并获取所有未闭锁H桥中除掉所述第一未闭锁H桥的其他未闭锁H桥与所述第一未闭锁H桥之间的传输功率、隔离变压器变比、等值电抗，以及获取所述多有源桥的工作频率；根据每个未闭锁H桥的端口电压，所述其他未闭锁H桥与所述第一未闭锁H桥之间的传输功率、隔离变压器变比、等值电抗，以及所述多有源桥的工作频率确定所述其他未闭锁H桥的端口电压相位。

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