长江先进存储产业创新中心有限责任公司唐平获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210108002.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权相变存储器的制作方法是由唐平;刘峻;贺祖茂设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器的制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种相变存储器的制作方法，所述方法包括：在第一导电层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构至少包括层叠设置的电极层和相变材料层；沿垂直于所述第一导电层的第一方向，形成贯穿所述堆叠结构和所述第一导电层的第一间隙；形成覆盖所述第一间隙的侧壁的第一绝缘层；对所述第一绝缘层显露的表面进行活化处理；以第一绝缘介质填充包括所述第一绝缘层的第一间隙，形成第一隔热结构；其中，所述第一隔热结构与所述第一绝缘层经过所述活化处理的表面接触。
本发明授权相变存储器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括： 在第一导电层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构至少包括层叠设置的电极层和相变材料层； 沿垂直于所述第一导电层的第一方向，形成贯穿所述堆叠结构和所述第一导电层的第一间隙； 形成覆盖所述第一间隙的侧壁的第一绝缘层； 使用气体等离子体对所述第一绝缘层显露的表面进行活化处理，以在所述第一绝缘层显露的表面形成活性基团； 以第一绝缘介质填充包括所述第一绝缘层的第一间隙，形成第一隔热结构；其中，所述第一隔热结构与所述第一绝缘层经过所述活化处理的表面接触；所述活性基团具有与所述第一绝缘介质相同或者相亲和的基团，用以增加所述第一绝缘层与所述第一隔热结构的黏附力。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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