中国科学院微电子研究所张昇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种基于HEMT器件的曲面场板结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011275474.9，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种基于HEMT器件的曲面场板结构及其制备方法是由张昇;魏珂;陈晓娟;刘新宇设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于HEMT器件的曲面场板结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于HEMT器件的曲面场板结构，包括栅极、源极及漏极，栅极位于源极及漏极之间，其特征在于，栅极与漏极之间形成有曲面场板结构，其曲面与器件生长方向垂直，通过优化场板结构，可有效抑制HEMT器件的峰值电场，且通过将优化后的场板结构设置在凹槽中，缩短了场板与沟道载流子之间的距离，可进一步有效抑制HEMT器件的峰值电场。本公开还提供了一种基于HEMT器件的曲面场板结构的制备方法。
本发明授权一种基于HEMT器件的曲面场板结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于HEMT器件的曲面场板结构，包括栅极、源极及漏极，所述栅极位于所述源极及所述漏极之间，其特征在于，所述栅极与所述漏极之间形成有曲面场板结构，所述曲面场板结构沿与源极及所述漏极平行的方向延申，所述曲面场板结构的曲面与器件生长方向垂直； 所述源极及所述漏极之间生长有钝化层，所述曲面场板结构形成在所述钝化层上； 所述钝化层包括一凹槽，所述曲面场板结构形成在所述凹槽中，且所述曲面场板结构高度大于所述凹槽的深度； 所述曲面场板结构由多个连续的弯曲场板构成，形成类S结构； 所述曲面场板结构的曲面宽度小于所述栅极与所述漏极的间距的一半； 所述曲面场板结构的曲面宽度为0.2m~0.4m，曲面角度为1°~180°； 所述钝化层的厚度为120nm，凹槽深度为0~80nm。
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