华虹半导体(无锡)有限公司范炜盛获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种静电保护GGNMOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210096916.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种静电保护GGNMOS结构是由范炜盛设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电保护GGNMOS结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种静电保护GGNMOS结构，属于半导体器件及制造领域。基于SOI工艺，该结构引入一圈N型阱，并在N型阱中形成P型重掺杂区和N型重掺杂区交替的块状掺杂区，N型阱处的P型重掺杂区、N型阱、P型阱与源端处的N型重掺杂区形成SCR结构，打开泄放电流；N型阱处的P型重掺杂区、N型重掺杂区与漏端的N型重掺杂区短接形成阳极，源端的N型重掺杂区与栅端短接形成阴极，SCR结构用于ESD电压加到阳极时打开泄放电流，增加了额外的ESD电流泄放通道，提高了SOIGGNMOS的ESD防护能力。
本发明授权一种静电保护GGNMOS结构在权利要求书中公布了：1.一种静电保护GGNMOS结构，其特征在于，该结构至少包括： 硅衬底，所述硅衬底通过SOI工艺形成有埋氧层；通过STI工艺定义出的源端，在所述埋氧层处形成有P型阱；形成于所述P型阱外围处的一圈N型阱，所述N型阱处形成有P型重掺杂区和N型重掺杂区的交替块状重掺杂区；形成于所述P型阱之间的N型重掺杂区，所述P型阱之间形成有间隔的栅端和漏端； 所述N型阱处的P型重掺杂区、所述N型重掺杂区与所述漏端的N型重掺杂区短接形成阳极，所述源端的N型重掺杂区与栅端短接形成阴极；所述N型阱处的P型重掺杂区、所述N型阱、所述P型阱与所述源端处的N型重掺杂区形成SCR结构，所述SCR结构用于ESD电压加到所述阳极时打开泄放电流。
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