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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114448252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210043283.2，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权一种驱动电路是由王云;郝炳贤;张建华;薛静;张梦;楼玥;嵇薇薇;周明;石磊设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种驱动电路在说明书摘要公布了：本公开涉及一种驱动电路，包括：电流镜；不少于两个开关用于控制接入所述驱动电路的电流数量；与所述电流镜相连接的高压PMOS管；串联连接的第一高压NMOS管和第二高压NMOS管；用于保护所述第一高压NMOS管和第二高压NMOS管的电压处于预设范围内的第一NMOS管和第二NMOS管；串联连接的第三NMOS管和第四NMOS管；第三高压NMOS管；所述第一高压NMOS管的栅极和所述第二高压NMOS管的栅极接参考电压；所述第一高压NMOS管与所述电流镜相连接；所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极相连接；所述第三高压NMOS管的源极接入所述驱动电路的电流；所述第三高压NMOS管的漏极分别与所述第二高压NMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的源极相连接；所述第三高压NMOS管的栅极接电源电压。

本发明授权一种驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种驱动电路，其特征在于，包括： 电流镜； 至少两个开关，用于控制接入所述驱动电路的电流数量； 与所述电流镜相连接的高压PMOS管； 串联连接的第一高压NMOS管和第二高压NMOS管； 用于保护所述第一高压NMOS管和第二高压NMOS管的电压处于预设范围内的第一NMOS管和第二NMOS管； 串联连接的第三NMOS管和第四NMOS管； 第三高压NMOS管；其中， 所述第一高压NMOS管的栅极和所述第二高压NMOS管的栅极接参考电压； 所述第一高压NMOS管与所述电流镜相连接； 所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极相连接； 所述第三高压NMOS管的源极接入所述驱动电路的电流； 所述第三高压NMOS管的漏极分别与所述第二高压NMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的源极相连接； 所述第三高压NMOS管的栅极接电源电压； 所述高压PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极和栅极相连接。

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